Nature Electronics论文接收

发布时间:2018-02-06浏览次数:920


       2018年2月5日,以中心成员王鹏教授为共同通讯作者的论文《基于层状二维材料的高鲁棒性忆阻器》(Robust memristors based on layered two-dimensional materials)发表在《自然·电子学》杂志上(Nature Electronics DOI:10.1038/s41928-018-0021-4),南京大学物理学院博士生王淼和现代工程与应用科学学院博士生蔡嵩骅为论文的共同第一作者,南京大学物理学院缪峰教授、南京大学现代工程与应用科学学院、南京大学环境纳米技术研究中心王鹏教授和美国马萨诸塞大学的杨建华教授为该论文的共同通讯作者。这项研究工作不仅展示了二维层状材料异质结构在忆阻器领域中的巨大应用前景,对未来极端环境下电子元件的设计与研究有着重要的指导意义;同时也指出,因为二维材料异质结构可以结合不同二维材料的优异性质,也给人们提供了一种解决其它领域电子器件技术挑战的可能的通用途径。      

 

 

        南京大学物理学院缪峰教授课题组近年来围绕二维材料电子器件应用开展了系统的工作,在包括场效应电子器件、红外光电探测器件等领域已取得一系列成果。目前,他们和科研合作团队利用二维层状硫氧化钼(氧化二硫化钼)以及石墨烯构成三明治结构的范德华异质结,在世界上首次实现了基于全二维材料的、可耐受超高温和强应力的高鲁棒性(robust)阻器,为推动忆阻器在高温电子器件和相关技术领域的应用迈出重要一步。

       该项研究得到微结构科学与技术协同创新中心的支持,以及国家杰出青年科学基金、科技部“量子调控”国家重大科学研究计划(青年科学家专题)项目、江苏省杰出青年基金、国家自然科学基金等项目的资助。

 

《自然·电子学》官网截图与基于二维材料的耐高温忆阻器:(a)器件结构示意图;(b)器件在脉冲电压操作下次的稳定开关表现;(c)器件在20~340℃温度范围内的开关曲线;(d)器件分别在100℃、200℃和300℃高温下的1000次稳定开关表现。